Изображение сгенерировано нейросетьюВ Новосибирском государственном техническом университете (НГТУ) разработаны конструкция и производственная технология приборов вакуумной микроэлектроники, которые рассчитаны на эксплуатацию в сложных условиях.
Принцип работы этих устройств отличается от традиционных полупроводниковых решений — перенос заряда в них происходит за счет движения электронов через компактный вакуумный канал. Проект реализуется в рамках программы «Приоритет‑2030» и ориентирован на применение в радиоэлектронном оборудовании для оборонной, а также космической отраслей.
Ключевым достоинством вакуумной микроэлектроники выступает высокая стойкость к неблагоприятным факторам — к радиационному излучению, экстремальным температурам и их резким перепадам. При этом созданные элементы характеризуются невысоким пороговым напряжением и достаточно несложной архитектурой.
Ученые НГТУ уже собрали действующий прототип прибора с вертикальным вакуумным каналом. Получаемые транзисторы и диоды такого типа открывают возможности для проектирования высокопроизводительной аппаратуры, работающей на высоких и сверхвысоких частотах и используемой в системах радиосвязи и радиолокационном оборудовании.
Кроме того, в университете ведут параллельные исследования по разработке вакуумных компонентов с зазорами нанометровых размеров, а также наноантенн, предназначенных для работы в терагерцовом диапазоне.
Технология производства, созданная специалистами НГТУ, является оригинальной, и уже направлена заявка на ее регистрацию в Роспатенте. В перспективе такие приборы смогут найти применение в оборудовании, где критически важна надежная работа под воздействием радиации и прочих экстремальных нагрузок.
