Не так давно в России наладили выпуск 350-нм литографов, а теперь отечественные специалисты при поддержке белорусских коллег изготовили опытный образец литографической установки, которая позволяет выпускать полупроводниковую продукцию по технологическим нормам 130 нм. Об этом рассказал первый вице‑премьер РФ Денис Мантуров в ходе проведения форума «Микроэлектроника 2026».
Одной из ключевых разработок в рамках данного проекта стал отечественный эксимерный лазер, специально созданный для 130-нм литографа. Как отметил Мантуров, теперь Россия относится к числу стран, располагающих такой технологической базой, а глава Минпромторга Антон Алиханов уточнил, что приемочные испытания оборудования намечены на осень текущего года.
Параллельно в России идет развитие электронно‑лучевой литографии, которая, помимо прочего, необходима для изготовления фотошаблонов, используемых при производстве микрочипов. В Зеленограде подходит к концу строительство научно‑технологического центра, где собираются организовать выпуск таких изделий и в перспективе предполагается поэтапный переход на более тонкие топологические нормы — вплоть до 28 нм.